设为首页 - 加入收藏
您的当前位置:首页 > 现货金 > 宏微科技:1200V 40mohm SiC MOSFET芯片研制成功并已通过可靠性验证,部分产品已形成小批量出货 正文

宏微科技:1200V 40mohm SiC MOSFET芯片研制成功并已通过可靠性验证,部分产品已形成小批量出货

来源:宁德网 编辑:现货金 时间:2025-05-06 22:10:20
    1    2  3  4  5  6  7  8  9  10  11  

0.0566s , 5640.921875 kb

Copyright © 2016 Powered by 宏微科技:1200V 40mohm SiC MOSFET芯片研制成功并已通过可靠性验证,部分产品已形成小批量出货,宁德网  

sitemap

Top